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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:三社2合1 SiC MOSFET 模塊

  • 產(chǎn)品型號(hào):FCA150AC120 FCA100AC120
  • 產(chǎn)品廠商:SanRex
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
  • 折扣價(jià)格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
由于SiC功率器件超越傳統(tǒng)Si制品,具有低損耗和高速運(yùn)行能力,因此作為大電流和高壓應(yīng)用中的節(jié)能關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。我們的SiC-MOSFET模塊是適用于高速開關(guān)的產(chǎn)品,采用獨(dú)自的包裝「Techno Block※1」,可提高長(zhǎng)期可靠性,減少損耗并減小尺寸。
詳情介紹:



三社2合1 SiC MOSFET 模塊特點(diǎn)

  • 獨(dú)自的包裝「Techno Block」可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性※2和小型化
  • 內(nèi)部結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)并將電感減小到大約1/2(與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比)
  • 采用了松下公司獨(dú)特的SiC-MOSFET芯片(DioMOS(二極管內(nèi)置MOSFET)),該芯片具有內(nèi)置的再生二極管功能,可以減少不必要的電感,以實(shí)現(xiàn)理想的開關(guān)。
  • 對(duì)SiC-MOS的弱點(diǎn)短路破壞,實(shí)現(xiàn)了裝置**設(shè)計(jì)的業(yè)界**的短路耐量
  • 芯片擁有在高溫(150°C)下也幾乎不變的導(dǎo)通電阻特性,在實(shí)際使用中可實(shí)現(xiàn)高效率化
  • 具有高閾值(閾值電壓4.0V(Typ.))的門極特性,可以抵抗高頻驅(qū)動(dòng)期間由于噪聲引起的故障
※1
小型,高散熱封裝,帶有我們獨(dú)特的雙面焊接和一體注塑成型工藝
通過不使用引線鍵合技術(shù)來實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性和小型化。Techno Block是我們的商標(biāo)。
※2
功率循環(huán)耐量約為本公司傳統(tǒng)產(chǎn)品的3倍。

用途

  • 工業(yè)變頻器
  • DC-DC轉(zhuǎn)換器
  • 電動(dòng)車充電器
  • 高輸出諧振電源

*大額定

除非另有說明一般 Tj=25℃

項(xiàng)目 符號(hào) 單位 額定值 條件
FCA100AC120 FCA150AC120
漏極電壓 VDSS V 1200 -
漏極電流 ID A 100 150 VGS=20V,
Tc=90℃
電力流失 Ptot W 625 1135 Tc=25℃
工作結(jié)溫 Tj -40 ~ +150 -
絕緣耐壓 Viso V 2500 AC 60Hz 1min

電氣特性

除非另有說明一般 Tj=25℃

項(xiàng)目 符號(hào) 單位 規(guī)格值 條件
*小 標(biāo)準(zhǔn) *大
FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100/150AC120
漏極導(dǎo)通電阻 RDS(on) - - 6.8 4.1 14 9.3 ID
=100A
ID
=150A
VGS=20V
- - 7.4 4.5 15 10 VGS=20V,
Tj=150℃
漏極熔斷電流 IDSS μA - - - - 200 300 - - VDS=1200V,
VGS=0V
門極閾值電壓 VGS(th) V 3 3 4 4 5 5 ID
=3mA
ID
=4.5mA
VDS=10V
門極漏電流 IGSS nA - - - - 200 300 - - VGS=20V,
VDS=0V
熱阻 Rth(j-c) ℃/W - - - - 0.2 0.11 - - 接合部 - 外殼間
(每個(gè)素子)


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